Este tipo de chip sigue las especificaciones eUFS y será producido utilizando un proceso V-NAND de 64 capas desarrollado por Samsung. Cada una de estas "soluciones" de 512 GB constará de ocho chips de memoria y un chip controlador situados uno encima de otro para aprovechar al máximo el espacio físico disponible. Según señala Samsung, su nuevo producto duplica la densidad de memoria de la solución anterior, que ofrecía 256 GB de almacenamiento usando un formato de 48 capas.
Los datos de rendimiento facilitados por Samsung señala velocidades de lectura y escritura secuencial de hasta 860 y 255 MB/s, respectivamente. Las tasas para operaciones aleatorias son de 42.000 y 40.000 IOPS en lectura y escritura. Asimismo, Samsung indica que los nuevos chips incorporan una serie de mejoras destinadas a mejorar su eficiencia energética.
Estos módulos de almacenamiento recibirán acogida en smartphones de gama alta. Tienen por objetivo tanto mejorar la ficha técnica de unos dispositivos que han de defender continuamente sus prestaciones, como eliminar la necesidad de montar lectores microSD. Desde hace tiempo este elemento tiene una importancia menor en las categorías superiores, y es de imaginar que la utilización de memorias de mayor capacidad solo servirá para reducir su importancia.
Samsung no ha puesto fecha al lanzamiento de los primeros productos dotados con su nueva solución de almacenamiento, pero no sería de extrañar que los próximos Galaxy S o Galaxy Note estuvieran entre los encargados de estrenarla.
