El anuncio de hoy se suma al inicio de la producción en masa de los primeros módulos de memoria DRAM LPDDR5 de 16 GB para teléfonos móviles, que arrancó el mes pasado. Con estas dos noticias, ya es posible hacerse una idea bastante aproximada de las configuraciones más elevadas que veremos durante los próximos meses.
De acuerdo con la nota de prensa distribuida por Samsung, sus nuevos módulos eUFS 3.1 de 512 GB brindan una velocidad de escritura secuencial de 1.2 GB/s, lo que supone triplicar la tasa de los anteriores chips eUFS 3.0 de la misma capacidad (410 MB/s). La velocidad de lectura secuencial, por su parte, es la misma, con 2,1 GB/s, pero las IOPS en lectura aleatoria mejoran sustancialmente, pasando de 63.000 IOPS con eUFS 3.0 a 100.000 IOPS con eUFS 3.1.
La compañía no pierde la oportunidad de señalar que esto supone duplicar la velocidad de escritura de una unidad SATA para PC y arrasa las tasas habitualmente vistas en las tarjetas de memoria, que Samsung describe como un "cuello de botella".
Un detalle que resulta interesante es que Samsung quiere dar prioridad a los módulos de alta capacidad para teléfonos de mayor categoría. Desde el fabricante se señala que, en efecto, también se ofrecerán módulos eUFS 3.1 con capacidades de 128 y 256 GB, pero no llegarán hasta más entrado 2020.
Samsung tiene por costumbre incorporar sus últimos chips de memoria en sus teléfonos más destacados, por lo que es posible que la próxima generación de los Galaxy Note y Galaxy Fold puedan presumir de ellos. No obstante, prácticamente toda la industria utiliza memorias Samsung, así que tampoco sería motivo de sorpresa (y de hecho ha sucedido anteriormente) que algún otro fabricante fuera el encargado de hacer los honores.
