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Lee Seok-hee, máximo responsable de SK Hynix, prevé cambios importantes en los procesos de producción que actualmente marcan los límites de componentes como la memoria RAM y las unidades SSD. Así lo ha señalado durante su intervención en el evento Reliability Physics Symposium organizado por el Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE por sus siglas en inglés), donde adelantó dos de las próximas tendencias más notables: la irrupción de chips DRAM fabricados por fin a menos de 10 nm y el uso de memorias NAND de 600 capas. Según recoge el diario Korea Herald, SK Hynix contempla…

La división de semiconductores de Samsung Electronics ha estado ocupada. Sus aspiraciones para liderar el mercado de los productos de memoria y almacenamiento para todo tipo de aparatos, desde teléfonos móviles a servidores, pasando por ordenadores personales, sigue en marcha con el anuncio en paralelo de sus dos últimos avances: la producción en masa de memoria DRAM LPDDR5 de 16 gigabits (Gb) y su primera unidad SSD PCIe 4.0 para equipos informáticos de consumo. Comenzando por la RAM, los chips en cuestión están fabricados con un proceso litográfico de luz ultravioleta extrema (EUV) a 10 nm…

La Computex 2018 está ya a la vuelta de la esquina. Solo queda una semana escasa para que la feria de Taiwán llene portadas y desborde a los redactores de tecnología con la habitual cornucopia repleta de novedades informáticas, pero este año habrá un gran pero: no se esperan grandes primicias en cuanto a tarjetas gráficas. Los avances en materia de hardware serán de otro tipo, y Samsung podría estar avanzando una de las posibles temáticas de esta edición con el anuncio de un módulo SO-DIMM de gran tamaño específico para portátiles. El fabricante surcoreano, que hace poco sobrepasó a Intel y…