Los nuevos módulos de Samsung prometen una frecuencia efectiva de hasta 2.400 Mhz, casi un 30% más que los módulos profesionales DDR3 a 1.866 Mhz. Al mismo tiempo, la compañía sitúa el voltaje de su producto en tan solo 1,2 voltios, lo que aumenta de forma significativa la eficiencia energética y térmica de otras memorias DDR4.
De cara al futuro, Samsung espera que los chips de 8 Gb producidos en 20 nanómetros desemboquen en módulos de hasta 128 GB. Para alcanzar este hito en densidad, Samsung echará mano de su tecnología de interconexión tridimensional TSV (similar en concepto a las memorias V-NAND) que ya se utiliza en sus chips de 4 Gb.
Aunque ya existe un buen surtido de memorias DDR4 para consumo general, Samsung no ha indicado planes para lanzar su módulo RDIMM de 32 GB a en este mercado. Para usos menos intensivos, la compañía también ha adelantado nuevos chips DDR3 de 4 Gb para ordenadores de sobremesa y de 6 Gb LPDDR3 para dispositivos móviles, en ambos casos a 20 nm.
