A diferencia de la acostumbrada arquitectura NAND plana, la tecnología 3D V-NAND coloca las celdas de memoria flash en columnas verticales que conforman entre sí una red tridimensional. Al utilizar esta estructura se pueden eludir los límites de miniaturización de las memorias planas para aumentar la densidad de datos. Asimismo, las memorias V-NAND sufren muchas menos interferencias entre celdas que sus equivalentes bidimensionales.
Samsung enfoca su línea 850 Pro hacia la gama más alta marcando velocidades de hasta 550 MBps de lectura y 520 MBps de escritura. Sin embargo, la tecnología V-NAND saca a relucir sus verdaderas bondades es en las operaciones aleatorias, prometiendo hasta 10.000 IOPS en lectura y 90.000 IOPS en escritura para la nueva gama.
Como guinda para aumentar la duración del dispositivo, Samsung ha añade en su línea la tecnología Dynamic Thermal Guard que monitoriza y mantiene la unidad a una temperatura óptima de funcionamiento. La nueva línea también heredará de la gama predecesora 840 Evo el modo Rapid que aprovecha la memoria libre del sistema como caché para acelerar el manejo de datos.
La línea Samsung 850 Pro estará disponible en 53 países a lo largo de este mes con tamaños de 128 GB, 256 GB, 512 GB y 1 TB. Dichas capacidades de memoria estarán disponibles respectivamente por 130 dólares, 230 dólares, 430 dólares y 730 dólares junto a diez años de garantía por parte del fabricante.
