El proceso de SK Hynix apila todos los componentes esenciales de un chip NAND en lugar de únicamente las celdas de memoria, tal y como hace por ejemplo la NAND 3D de Samsung. Según el fabricante, este proceso "4D" resulta más efectivo que el utilizado por su rival patrio.
No debería ser necesario decir que esto del "4D" es una meta etiqueta publicitaria. El proceso desarrollado por SK Hynix no dobla el espacio-tiempo ni tiene propiedades cuánticas, sino que incorpora en forma vertical las láminas que componen la memoria de un chip NAND, así como los componentes periféricos necesarios para su gestión. El conjunto de estos elementos hasta ahora dispuestos de forma horizontal recibe el nombre de Peri. Under Cell o PUC según la nomenclatura de SK Hynix.
De acuerdo con las especificaciones oficiales, cada chip NAND 4D de 128 capas posee 360.000 millones de celdas NAND y proporciona una capacidad de un terabit (Tb). La velocidad de transferencia a 1,2 voltios es de 1.400 Mbps. El resultado de apilar todos los componentes esenciales en vertical supone asimismo una reducción del 5 % en los procesos relacionados con sus producción.
De cara a los consumidores, la compañía promete que durante la primera mitad de 2020 veremos un "producto UFS 3.1 de nueva generación" para teléfonos de gama alta. Supuestamente su proceso 4D permitirá reducir a la mitad el número de chips necesarios para brindar 1 TB de almacenamiento al tiempo que se mejora la eficiencia energética un 20 %.
En cuanto a sus aplicaciones informáticas, desde SK Hynix se afirma que durante ese mismo semestre también iniciará la producción en masa de una unidad SSD de 2 TB con un controlador propio, así como productos NVMe de 16 y 32 TB ya orientados a clientes industriales y centros de datos.
