Ingenieros de Intel anunciaron ayer en Kyoto (Japón) que podrán extender la Ley de Moore otra década más construyendo los transistores de silicio más rápidos del mundo. Estos transistores, que alcanzarán un tamaño de tan solo 20 nanómetros (0.02micras) permitirán a Intel construir alrededor del año 2007 microprocesadores que contengan mil millones de transistores, con velocidades de cerca de 20 gigahercios y operando a menos de un voltio. Podéis leer la noticia completa en
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