Latencias
Es el tiempo que transcurre entre el inicio de una petición de un dato en la memoria hasta que es recuperado (llega al dispositivo). Es importante para medir la velocidad de la memoria. A menor latencia, mayor velocidad de lectura. Los módulos de memoria tienen distintas especificaciones técnicas acerca de las diferentes latencias que afectan la velocidad (medida en ciclos de reloj). Entre cualquier función de lectura/escritura hay cuatro procesos importantes que determinan diferentes latencias.
Latencia RAS a CAS (RAS to CAS latency o tRCD): El tiempo que pasa entre la señal de RAS y la señal CAS. Cuando una fila es activada hay un tiempo de espera hasta que el dato pueda ser leído.
Latencia CAS (tCAS): Es el tiempo que transcurre entre la llegada de la señal CAS desde el controlador de la memoria hasta que los datos están disponibles en los pines de salida de datos en el chip de memoria.
Precarga RAS (RAS precharge o tRP): Tiempo que transcurre entre que una fila es desactivada hasta que otra fila es activada, en el caso que el dato requerido se encuentre en otra fila (va a requerir otra señal RAS y CAS).
Retraso en la Activación de Precarga: (Active to Prechage Delay o tRAS): Es el tiempo que transcurre entre la llegada de la petición de acceso y activación de la fila hasta que se produce la Precarga RAS.
Estos procesos son cuatro parámetros que afectan la velocidad y se encuentran en todos los módulos DRAM (especialmente las memorias de tipo SDRAM). En el momento de la compra, generalmente las memorias de marca especifican las diferentes latencias de la siguiente manera:
Ejemplo:
tCAS – tRCD – tRP - tRAS
2.5 - 3 - 3 - 5
Los 2.5 ciclos de la latencia CAS ocurren en el caso de memorias con tecnología DDR SDRAM. Si no también es común encontrar latencias CAS de 3 ciclos.
