Ram SO-DIMM ¿difierentes?

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Samsung M4 70L3224FU0-CB3
Número de serie F70A4E99h (2572028663)
Tamaño del módulo 256 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de la memoria PC2700 (166 MHz)
Ancho de bus del módulo 64 bit
Voltaje del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno/a
Tasa de actualización Reducido (7.8 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)

Características del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Samsung
Información del producto http://www.samsung.com/global/business/semiconductor